企业简介
扬州乾照光电有限公司 main business:电子工业技术研究、咨询服务；光电子产品的研发、生产、销售及技术服务；超高亮度发光二极管（LED）应用产品系统工程的安装、调试和维修；砷化镓太阳能电池外延片、芯片的设计、开发、生产和销售；自营和代理各类商品及技术的进出口业务（国家限定企业经营或禁止进出口的商品和技术除外）。（依法须经批准的项目，经相关部门批准后方可开展经营活动） and other products. Company respected "practical, hard work, responsibility" spirit of enterprise, and to integrity, win-win, creating business ideas, to create a good business environment, with a new management model, perfect technology, attentive service, excellent quality of basic survival, we always adhere to customer first intentions to serve customers, persist in using their services to impress clients.
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扬州乾照光电有限公司的工商信息
- 321091000031822
- 913210916853225890
- 存续（在营、开业、在册）
- 有限责任公司（自然人投资或控股的法人独资）
- 2009年02月19日
- 蔡海防
- 58200.000000
- 2009年02月19日 至 2059年02月18日
- 扬州经济技术开发区市场监督管理局
- 2018年06月04日
- 扬州市下圩河路8号
- 电子工业技术研究、咨询服务；光电子产品的研发、生产、销售及技术服务；超高亮度发光二极管（LED）应用产品系统工程的安装、调试和维修；砷化镓太阳能电池外延片、芯片的设计、开发、生产和销售；自营和代理各类商品及技术的进出口业务（国家限定企业经营或禁止进出口的商品和技术除外）。（依法须经批准的项目，经相关部门批准后方可开展经营活动）
扬州乾照光电有限公司的域名
| 类型 | 名称 | 网址 |
| 网站 | 厦门乾照光电股份有限公司 | www.changelight.com.cn |
扬州乾照光电有限公司的专利信息
| 序号 | 公布号 | 发明名称 | 公布日期 | 摘要 |
| 1 | CN205764450U | 一种LED晶圆激光装置 | 2016.12.07 | 一种LED晶圆激光装置，属于激光加工技术领域，在激光光路中以分光镜将单束光分解成为具有垂直和水平极化 |
| 2 | CN106098818A | 一种锗基砷化镓多结柔性薄膜太阳电池及其制备方法 | 2016.11.09 | 一种锗基砷化镓多结柔性薄膜太阳电池及其制备方法，涉及薄膜太阳电池的生产技术领域。本发明采用比较成熟的 |
| 3 | CN205303502U | 一种串联PN结发光二极管 | 2016.06.08 | 一种串联PN结发光二极管，涉及半导体元器件的生产技术领域。本实用新型包括在基板一侧设置下电极，在基板 |
| 4 | CN205764431U | LED晶圆激光装置 | 2016.12.07 | LED晶圆激光装置，属于激光加工技术领域，采用两组激光发射器，分别形成两组单独的激光束，将分出的两束 |
| 5 | CN104167477B | 一种反极性AlGaInP基发光二极管及其制造方法 | 2017.05.03 | 一种反极性AlGaInP基发光二极管及其制造方法，属于光电子技术领域，先制成发光二极管外延片，并在外 |
| 6 | CN206003830U | 一种图案化高亮度AlGaInP发光二极管 | 2017.03.08 | 一种图案化高亮度AlGaInP发光二极管，属于LED生产应用技术领域，在GaAs 衬底正面设置N‑G |
| 7 | CN206003808U | 具有AZO粗化层的高亮度AlGaInP发光二极管 | 2017.03.08 | 具有AZO粗化层的高亮度AlGaInP发光二极管，属于LED生产应用技术领域，N电极设置在衬底背面， |
| 8 | CN206003793U | 一种铜基板高亮度AlGaInP发光二极管 | 2017.03.08 | 一种铜基板高亮度AlGaInP发光二极管，属于LED生产应用技术领域，在铜基板衬底的一侧设置n面扩展 |
| 9 | CN206003801U | 一种用于倒装LED芯片的外延片 | 2017.03.08 | 一种用于倒装LED芯片的外延片，属于发光二极管的外延技术领域，本实用新型在外延层的电流扩展层与n‑A |
| 10 | CN206003813U | 一种水平电极倒装红光LED芯片 | 2017.03.08 | 一种水平电极倒装红光LED芯片，涉及LED芯片的生产技术领域。在衬底上设键合层、ODR介质层、P‑G |
| 11 | CN206003783U | 一种锗基砷化镓多结柔性薄膜太阳电池 | 2017.03.08 | 一种锗基砷化镓多结柔性薄膜太阳电池，涉及薄膜太阳电池的生产技术领域。在柔性衬底的一侧通过键合层连接G |
| 12 | CN104733556B | 一种具有表面粗化结构的三结GaAs太阳电池的制备方法 | 2017.02.01 | 一种具有表面粗化结构的三结GaAs太阳电池及其制备方法，涉及多结太阳能电池制备技术领域，对主电极之间 |
| 13 | CN104300065B | 具有新型扩展电极结构的发光二极管及其制造方法 | 2017.01.25 | 具有新型扩展电极结构的发光二极管及其制造方法，属于光电子技术领域，在外延片上制作镜面反射层，键合衬底 |
| 14 | CN106299058A | 一种用于倒装红外发光二极管的外延片 | 2017.01.04 | 一种用于倒装红外发光二极管的外延片，属于发光二极管的外延技术领域，在衬底同一侧依次外延层，有源层包括 |
| 15 | CN205790050U | 一种高亮度反极性的AlGaInP基发光二极管晶圆 | 2016.12.07 | 一种高亮度反极性的AlGaInP基发光二极管晶圆，属于光电子技术领域，特别涉及AlGaInP四元系发 |
| 16 | CN205790047U | 一种垂直结构AlGaInP基发光二极管 | 2016.12.07 | 一种垂直结构AlGaInP基发光二极管，属于光电子技术领域，本实用新型从下到上依次包括：第一电极、衬 |
| 17 | CN205723601U | 一种低成本发光二极管 | 2016.11.23 | 一种低成本发光二极管，涉及发光二极管的生产技术领域，在基板一侧设置下电极，在基板另一侧依次设置DBR |
| 18 | CN205723599U | 表面覆盖ITO的反极性AlGaInP基LED | 2016.11.23 | 表面覆盖ITO的反极性AlGaInP基LED，属于半导体技术领域。在具有背电极的永久衬底上依次设置有 |
| 19 | CN106129224A | 一种水平电极倒装红光LED芯片及其制备方法 | 2016.11.16 | 一种水平电极倒装红光LED芯片及其制备方法，涉及LED芯片的生产技术领域。本发明方法无需在ODR介质 |
| 20 | CN106129217A | 具有AZO粗化层的高亮度AlGaInP发光二极管及其制造方法 | 2016.11.16 | 具有AZO粗化层的高亮度AlGaInP发光二极管及其制造方法，属于LED生产应用技术领域，N电极设置 |
| 21 | CN106129196A | 一种用于倒装LED芯片的外延片及其制备方法 | 2016.11.16 | 一种用于倒装LED芯片的外延片及其制备方法，属于发光二极管的外延技术领域，在生长n型超晶格层时周期交 |
| 22 | CN106098876A | 一种铜基板高亮度AlGaInP发光二极管及其制造方法 | 2016.11.09 | 一种铜基板高亮度AlGaInP发光二极管及其制造方法，属于LED生产应用技术领域，以厚度为150～2 |
| 23 | CN106098917A | 一种图案化高亮度AlGaInP发光二极管及其制造方法 | 2016.11.09 | 一种图案化高亮度AlGaInP发光二极管及其制造方法，属于LED生产应用技术领域，在外延生长时，先在 |
| 24 | CN205595362U | 一种砷化镓基高电压黄绿光发光二极管芯片 | 2016.09.21 | 一种砷化镓基高电压黄绿光发光二极管芯片，属于光电子技术领域，特点是在<i>p</i>型载流子限制层和 |
| 25 | CN105957938A | 一种高亮度反极性的AlGaInP基发光二极管晶圆及其制造方法 | 2016.09.21 | 一种高亮度反极性的AlGaInP基发光二极管晶圆及其制造方法，涉及AlGaInP四元系发光二极管的制 |
| 26 | CN205594128U | 一种自动控制Z轴运动的LED探针台寻边器 | 2016.09.21 | 一种自动控制Z轴运动的LED探针台寻边器，属于LED芯片点测设备技术领域，在机架上设置上固定支架和下 |
| 27 | CN105932131A | 一种垂直结构AlGaInP基发光二极管及其制造方法 | 2016.09.07 | 一种垂直结构AlGaInP基发光二极管及其制造方法，属于光电子技术领域，本发明从下到上依次包括：第一 |
| 28 | CN105929640A | 一种自动测量厚度的LED芯片光刻机 | 2016.09.07 | 一种自动测量厚度的LED芯片光刻机，属于半导体生产技术领域，具体涉及LED芯片的光刻技术工艺。本发明 |
| 29 | CN105914161A | 一种LED芯片的wafer分区测试方法 | 2016.08.31 | 一种LED芯片的wafer分区测试方法，属于LED生产应用技术领域，对位于芯片外周的20～40圈的各 |
| 30 | CN205488149U | 高比功率GaAs多结柔性薄膜太阳电池 | 2016.08.17 | 高比功率GaAs多结柔性薄膜太阳电池，涉及砷化镓多结柔性太阳电池生产技术领域。本实用新型在下电极一侧 |
| 31 | CN205488187U | 一种砷化镓基底低亮度黄光发光二极管芯片 | 2016.08.17 | 一种砷化镓基底低亮度黄光发光二极管芯片，属于光电子技术领域，具体涉及到AlGaInP四元系发光二极管 |
| 32 | CN205452332U | GaP表面粗化的AlGaInP基LED | 2016.08.10 | GaP表面粗化的AlGaInP基LED，属于半导体技术领域，从下至上依次为背电极、GaAs衬底、Ga |
| 33 | CN105842603A | 一种自动控制Z轴运动的LED探针台寻边器 | 2016.08.10 | 一种自动控制Z轴运动的LED探针台寻边器，属于LED芯片点测设备技术领域，在机架上设置上固定支架和下 |
| 34 | CN105826255A | 一种LED晶圆劈裂方法 | 2016.08.03 | 一种LED晶圆劈裂方法，属于半导体技术领域，采用外周设置有张紧环的白膜，从较大程度上保障在劈裂时，白 |
| 35 | CN205428884U | 一种可防止晶片滑落的晶片花篮 | 2016.08.03 | 一种可防止晶片滑落的晶片花篮，属于太阳能电池、IC 集成电路、LED发光二极管芯片等生产技术领域，本 |
| 36 | CN105826437A | 一种低成本发光二极管及其制作方法 | 2016.08.03 | 一种低成本发光二极管及其制作方法，涉及发光二极管的生产技术领域。在生长处延层的P型欧姆接触层时，以I |
| 37 | CN105789390A | 一种四元系LED芯片的生产工艺 | 2016.07.20 | 一种四元系LED芯片的生产工艺，属于LED芯片制造技术领域。在负电极的表面粘附蓝膜，对芯片半制品进行 |
| 38 | CN105702822A | 一种砷化镓基高电压黄绿光发光二极管芯片及其制作方法 | 2016.06.22 | 一种砷化镓基高电压黄绿光发光二极管芯片及其制作方法，属于光电子技术领域，特点是在 <i>p</i>型 |
| 39 | CN105702820A | 表面覆盖ITO的反极性AlGaInP基LED及其制造方法 | 2016.06.22 | 表面覆盖ITO的反极性AlGaInP基LED及其制造方法，属于半导体技术领域。采用ITO扩展电流扩展 |
| 40 | CN105679896A | 一种砷化镓基底低亮度黄光发光二极管芯片及其制作方法 | 2016.06.15 | 一种砷化镓基底低亮度黄光发光二极管芯片及其制作方法，属于光电子技术领域，在制作中，GaAs缓冲层与< |
| 41 | CN105552140A | 高比功率GaAs多结柔性薄膜太阳电池及其制备方法 | 2016.05.04 | 高比功率GaAs多结柔性薄膜太阳电池及其制备方法，涉及砷化镓多结柔性太阳电池生产技术领域。本发明在下 |
| 42 | CN205194673U | 一种具有衬套的坩埚 | 2016.04.27 | 一种具有衬套的坩埚，属于半导体发光器件的生产技术领域，特别是涉及真空电子束蒸发设备的制作技术。本实用 |
| 43 | CN105449055A | 一种串联PN结发光二极管及其制作方法 | 2016.03.30 | 一种串联PN结发光二极管及其制作方法，涉及半导体元器件—发光二极管的生产技术领域。本发明先利用MOC |
| 44 | CN105428485A | GaP表面粗化的AlGaInP基LED及其制造方法 | 2016.03.23 | GaP表面粗化的AlGaInP基LED及其制造方法，属于半导体技术领域，在GaAs衬底上生长形成外延 |
| 45 | CN105355582A | 一种具有衬套的坩埚及其在制作红光LED芯片中的应用 | 2016.02.24 | 一种具有衬套的坩埚及其在制作红光LED芯片中的应用，属于半导体发光器件的生产技术领域，本发明在埚体内 |
| 46 | CN105336796A | 倒置结构的双面受光GaAs多结太阳电池及其制备方法 | 2016.02.17 | 倒置结构的双面受光GaAs多结太阳电池及其制备方法，涉及砷化镓多结太阳电池生产技术领域，本发明采用三 |
| 47 | CN103594539B | 一种柔性多结GaAs太阳电池及其制备方法 | 2016.02.10 | 一种柔性多结GaAs太阳电池及其制备方法，属于半导体材料技术领域，先分别准备柔性衬底和同样键合金属的 |
| 48 | CN204991747U | 侧壁粗化的AlGaInP基LED | 2016.01.20 | 侧壁粗化的AlGaInP基LED，属于半导体技术领域。在具有背电极的永久衬底上依次设置有金属键合层、 |
| 49 | CN204991706U | 一种倒置结构的双面受光GaAs多结太阳电池 | 2016.01.20 | 一种倒置结构的双面受光GaAs多结太阳电池，涉及砷化镓多结太阳电池生产技术领域。在永久衬底的正反面分 |
| 50 | CN105185883A | 侧壁粗化的AlGaInP基LED及其制造方法 | 2015.12.23 | 侧壁粗化的AlGaInP基LED及其制造方法，属于半导体技术领域。通过外延片上的金属键合层和永久衬底 |
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